Bear Infested: Restart the Future

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IGBT与MOSFET不同，内部没有寄生的反向二极管，因此在实际使用中(感性负载)需要搭配适当的快恢复二极管。



03
IGBT的优缺点

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Nezha's Demon Boy in the Sea, Tang Detective 1900, Captain America 4, Fengshen Part II: War Xiqi, Bear Infested, Restart the Future, Manslaughter 3
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5、栅极驱动电路简单且便宜，降低了栅极驱动的要求
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8、具有高电流密度，使其能够具有更小的芯片尺寸。
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13、安全可靠。

缺点：1、开关速度低于 MOS管。
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4、比 BJT 和 MOS管价格更高。
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04
IGBT的主要参数
1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压，一般UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压。
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3、集电极额定电流IC是IGBT在饱和导通状态下，允许持续通过的最大电流。
4、集电极-发射极饱和电压UCE是IGBT在饱和导通状态下，集电极与发射极之间的电压降。该值越小，则管子的功率损耗越小。
fantasy
05
IGBT的静态特性曲线
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1、转移特性曲线
IGBT的转移特性曲线是指输出集电极电流IC与栅极-发射极电压VGE之间的关系曲线。
为了便于理解，这里我们可通过分析MOSFET来理解IGBT的转移特性。
当VGS=0V时，源极S和漏极D之间相当于存在两个背靠背的pn结，因此不论漏极-源极电压VDS之间加多大或什么极性的电压，总有一个pn结处于反偏状态，漏、源极间没有导电沟道，器件无法导通，漏极电流ID为N+PN+管的漏电流，接近于0。
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其中当VDS>0且较小时，ID随着VDS的增大而增大，这部分区域在MOSFET中称为可变电阻区，在IGBT中称为非饱和区；
当VDS继续增大，ID-VDS的斜率逐渐减小为0时，该部分区域在MOSFET中称为恒流区，在IGBT中称为饱和区；
other
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MOSFET与IGBT在线性区之间存在差异（红框所标位置）。



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06
IGBT如何选型
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2、IGBT额定电流的选择以30kW变频器为例，负载电流约为79A，由于负载电气启动或加速时，电流过载，一般要求1分钟的时间内，承受1.5倍的过流，择最大负载电流约为119A ，建议选择150A电流等级的IGBT。
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4、影响IGBT可靠性因素：
（1）栅电压IGBT工作时，必须有正向栅电压，常用的栅驱动电压值为15～187，最高用到20V， 而棚电压与栅极电阻Rg有很大关系，在设计IGBT驱动电路时， 参考IGBT Datasheet中的额定Rg值，设计合适驱动参数，保证合理正向栅电压。https://www.dgdqw.com/wenku/rd/dianzi/因为IGBT的工作状态与正向棚电压有很大关系，正向栅电压越高，开通损耗越小，正向压降也咯小。
在桥式电路和大功率应用情况下，为了避免干扰，在IGBT关断时，栅极加负电压，一般在-5- 15V，保证IGBT的关断，避免Miller效应影响。
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①开通和关断采用不同栅电阻Rg,ON和Rg,off，确保IGBT的有效开通和关断;
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07
IGBT的应用
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1、新能源汽车
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（1）电动控制系统
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作用于小功率直流/交流(DC/AC)的逆变；
（3）充电桩
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Chinese
（1）发电端
Family
（2）输电端
Japanese
（3）变电端
action
（4）用电端
家用白电、 微波炉、LED照明驱动等都对IGBT有大量的需求。

Hong Kong and Taiwan dramas
众所周知，交流传动技术是现代轨道交通的核心技术之一，在交流传动系统中牵引变流器是关键部件，而IGBT又是牵引变流器最核心的器件之一，可以说该器件已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件。
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